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Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-BE3
| Artikelnummer: | SI2365EDS-T1-BE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-BE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI2365EDS-T1-BE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 4A, 4.5V Verlustleistung (max) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 8 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) -
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